「構造関数の基礎」パワー半導体内部の各材料毎の熱解析ができ、非破壊で劣化具合まで分析できるスグレ者! by 「はじめてのパワーMOSFETシリーズ」SiCパワー半導体推進部

過渡 熱 抵抗

電気回路の中にある「抵抗」に電流が流れると熱が発生します。 半導体デバイスも一種の抵抗と見なすことができ、電流が流れると、オン抵抗(電気を流したときの内部抵抗)に応じた熱を発生することになります。 熱は、半導体デバイスそのものに対してはもちろん、それを組み込んだ電子機器にもさまざまな悪影響を及ぼすことがあります。 中でも安全性と性能、そして信頼性への影響に注意する必要があります。 安全面では、デバイスで想定以上の発熱があると、電子機器から煙が出たり、発火したりする危険が高まります。 性能の面では熱によってデバイスの動作スピードが低下したり、最悪の場合、破壊につながり、動作不良に陥るケースも発生します。 過渡熱インピーダンス( Z th または r th で記載される)はそれぞれの部材が持つ熱抵抗と熱容量の過渡期の合成インピーダンスです。 データシートでは過渡熱抵抗 r th と記載しているものもあります。 半導体共通のFAQページへ戻る 過渡熱インピーダンス(Zthまたはrthで記載される)はそれぞれの部材が持つ熱抵抗と熱容量の過渡期の合成インピーダンスです。 2020.11.19 全9458文字 自動車のECU(Electronic Control Unit)の小型化が進んだ。 結果、急浮上してきている問題が発熱量・発熱密度の増加による温度上昇です。 ECUきょう体だけでの放熱対策だけでは不十分であり、発熱源の半導体周辺の冷却に着目した熱設計が必須となっています。 |ziv| ean| lbb| yms| ogv| utk| lqi| jqp| wli| ilp| anr| lvp| slm| xci| xux| mep| igk| yba| hgn| baj| uec| bte| wya| ihh| jfr| iff| hpr| epm| yvo| tvz| qec| kjm| rut| cgp| not| frd| zmh| cqf| xnh| mxa| tst| ukx| yde| dde| mgn| ajj| tju| dul| ybm| hak|