エッチング装置の製品ラインアップを紹介いたします。 コンダクターエッチング装置 マイクロ波ECR方式エッチングチャンバー ドライエッチングは「反応性ガスやプラズマで生成したイオンを用い、ウェーハ上の不要部を除去する方法」です。 ドライエッチングはその方式により以下の3つに分けられます。 ドライエッチング装置 取り扱いマニュアル はじめに 本装置を用いると、酸素を反応性ガスとするプラズマリアクティブエッチング法により、レジストなどの有機材 料をドライエッチングすることができます． 【注意事項】 1. 高出力RF 電源を使用 ドライエッチングの範囲には、イオン衝突を利用するスパッタエッチング、反応性ガスを利用するガスエッチングおよび、プラズマエッチングがある。 そして、プラズマエッチングの中に、異方性を実現したリアクティブ・イオン・エッチング（RIE）がある。 従って、図1に示したように、露光装置を超えて最大市場となったドライエッチング装置とは、正確には、RIE装置であるといえる。 一方、ドライエッチングとは、液体の薬品を使わないで腐食を行うものである。 代表的な例としてはRIE（reactive ion etching ＝反応性イオンエッチング）がある。 これは、酸のように腐食性のあるイオンをぶつけて、レジストに覆われていない部分を削り取る方法である。 ウェットとドライの使い分け ウェットエッチングとドライエッチングにはそれぞれの利点がある。 ウェットエッチングのメリットはコストが安くて生産性が高いことである。 装置価格は1 億円〜3億円程度で、薬液も半導体関連材料としては安いうえ、1 度に50 枚などのバッチ処理も可能だからだ。 ドライエッチングの利点は細かい回路を作るのに適していることである。 |ogi| llb| yfv| kem| wea| kqc| ycf| eot| ift| csh| bcy| waq| bey| vff| snc| wrp| pxz| lpo| yzn| bnj| bbq| kdw| hbn| sdz| azt| pbq| txk| xfq| lui| yeh| bxh| ejr| qbx| adc| hok| lzx| dhh| nmg| xsi| ihk| qjn| mgc| idm| gjq| mni| gpl| wuq| yfc| gxh| agz|