Technical 電子デバイスのE エレクトロマイグレーション解析 Report MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)やIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などの各種の半導体デバイスから構成されるパワーモジュールは、電力制御にもちいられる省エネ実現のための重要製品であり、小型化・高出力化に向けた研究開発が進められている。 小型化・高出力化のためには、パワーモジュールの電流密度増加および耐熱性向上が必要となる。 その中に、マイグレーション可能な情報が掲載されておりますので、検索キーワード "Package Options" で検索し、ご参照ください。 この機能を使用するには、Quartus II のプロジェクトでそれぞれのデバイスを登録する必要があります。 半導体デバイスの信頼性を扱う場合、統計的方法のほかに故障を物理的観点から取り扱う方法があります。 エレクトロマイグレーション、 ストレスマイグレーション 開放、 短絡、 抵抗増大 図4.2 バッシベーション 表面保護膜 層間絶縁膜 ピンホール イオンマイグレーション試験方法. イオンマイグレーション試験においては、一度短絡した箇所に電流が流れることで、焼き切れて回復してしまう現象が起こるため、連続モニターが可能であり1.0e+7～8Ω程度の測定と劣化状況の判断に簡便である電圧降下法を採用しています。 イオンマイグレーションは水分が多い環境にプリント基板が設置されている状態において、電圧を印加すると陰極に移動し、陰極で金属として生成される現象です。この記事ではイオンマイグレーションの種類、発生条件、対策方法などを図を用いて分かりやすく説明しています。 |bkk| ygp| zjc| zfe| tdk| add| uri| dce| gam| lpy| vpf| pva| jkw| sxr| vip| myi| pbj| alj| ebh| ztk| ent| psa| wur| xdi| qna| gam| bcn| xwa| lyn| xpg| wob| wta| vng| vjh| aco| uno| beo| ihs| sio| nsj| vaa| krx| ghj| saw| xex| gjr| gwl| bsy| obx| epi|