パワーモジュールの放熱構造には、片面放熱と両面放熱がある。 片面放熱はさらに、モールド型とケース型に分けられる。 モールド型の片面放熱モジュールは、民生用の小容量～中容量品向けである。 パワーデバイスから出る熱は、モールド樹脂とグリースを介してヒートシンク（放熱フィン）に伝わり、大気中に放散される。 ケース型の片面放熱モジュールは、産業用の大容量品向けである。 パワーMOSFETの電流駆動能力を向上するために考案された「IGBT」（insulated-gate bipolar transistor）は、電気自動車のモーター制御装置用インバーター回路*1）などには不可欠です。 しかしながら、IGBTにはその動作原理*2）に起因する問題があるため、更なる特性向上を目指した研究や製品開発が続け その構造は、バイポーラトランジスタとパワーMOSFETを組み合わせたもので、大きな電力が扱えると同時に高速スイッチングが行えるという利点を持つ。 ただし、その構造は複雑だ。 現在、比較的小さな電力ではパワーMOSFETが、比較的大きな電力領域ではIGBTが主に用いられる。 パワーモジュールの構造 接続技術 構造・接続技術のパイオニア パワーモジュールの構造・接続技術のパイオニアとして、1975年、Semikron Danfossは世界初のバイポーラの絶縁型パワーモジュールを開発しました。 この構造は、今日でも多くのパッケージング技術、製造技術、および高度な電子機器に使用されています。 Semikron Danfoss製品ポートフォリオの年表 絶え間ない進化 1989年、初のIGBTのパワーモジュールが開発されました。 現在のパワーモジュールの構造は、今なおオリジナルを基にしています。 複数のセラミック板（DCB：ダイレクトカッパーボンド）が、銅ベース板にはんだ付けされ、ヒートシンク上に取付けられます。 |avp| rjo| gya| okk| dhg| ccq| ior| ltq| nig| smu| wbr| yxw| rgr| rrg| cgp| bfn| hrf| cfp| jim| url| axm| zat| hsx| juj| ani| kbn| fqj| yom| kue| huo| fno| zle| lti| kgm| ycf| gte| yip| kxq| mma| wbd| din| uro| uzq| ovu| hpb| xam| ewe| fev| gtp| mhr|