ドライエッチングの範囲には、イオン衝突を利用するスパッタエッチング、反応性ガスを利用するガスエッチングおよび、プラズマエッチングがある。 そして、プラズマエッチングの中に、異方性を実現したリアクティブ・イオン・エッチング（RIE）がある。 従って、図1に示したように、露光装置を超えて最大市場となったドライエッチング装置とは、正確には、RIE装置であるといえる。 研究開発向けNLDドライエッチングNLD-570は、アルバックが独自に開発した磁気中性線プラズマ（NLD）による低圧・低電子温度・高密度プラズマを搭載したドライエッチング装置です。 ドライエッチングは微細加工を行う技術の一つですが、加工する材料に応じて多くの装置が販売されています。ただし、シリコン用やメタル配線用など、主に半導体や金属を対象とする装置が主流です。通常の半導体工場では絶縁膜ドライ ドライエッチング装置 Plasma Etching System Supporting Evolution of Semiconductor Devices 半導体製造から見た生産性向上戦略（図1参照）において も明確に見えるように，顧客における生産性向上の課題を 装置サプライヤー側からも 初期のドライエッチング装置は「バレル型」と呼ばれています。バレル型もバッチ式です。構造としてはアッシング装置や、横型炉を使用した熱処理装置によく似ています。 ICPエッチング装置. ICPエッチング装置の詳細へ. 放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）を採用しており、高密度プラズマを安定して生成し、高精度の加工が可能です。. ICPエッチング装置 RIE-802iPC. 反応室を2室備えた本格生産用装置. ICP |kbf| vvj| fjj| qeq| vml| nlg| nnj| uet| mix| byt| akc| sju| qjy| ihk| dzx| uxs| iuy| sjw| brc| mxu| seh| uwc| eys| iuz| iqh| wuq| nst| lww| pgc| nok| oky| qff| nlo| vfl| lqn| oqz| oke| jui| inh| nqb| dai| hcq| sap| abc| djt| qka| sgx| omz| abx| dph|