ナノインプリント キヤノン
キヤノン は、半導体デバイスの製造で最も重要な回路パターンの転写を担うナノインプリント半導体製造装置"FPA1200NZ2C"を2023年10月13日に発売します。
数nm世代の最先端半導体には、オランダASMLの極端紫外線(EUV)露光装置が必須─。. そんな状況にキヤノンが風穴を開けた可能性がある。. 長年、研究開発を続けてきたナノインプリントリソグラフィー(NIL)装置を実用化したのだ( 図1 )。. 2023年10月13日
2023年12月27日 2:00 [会員限定記事] キヤノン は半導体の回路を描くために不可欠な露光工程向けに「ナノインプリント」と呼ぶ独自技術を搭載した装置を発売した。 強い光でウエハーに回路を焼き付ける一般的な方法とは異なり、ハンコのように原版を押し当てる原理だ。 コストや消費電力が抑えられるとして半導体メーカーの期待が広がる。
キヤノンは、NIL技術を使用した半導体製造装置"FPA-1200NZ2C"を2023年10月13日に発売し、微細な回路パターン形成をシンプルな仕組みで実現します。これまでの投影露光技術とは異なる方式で、最先端の半導体デバイス製造に貢献するNIL技術を開発し、光学系という介在物がないため、マスク上の回路パターンを忠実にウエハー上に再現できます。
キヤノン、大日本印刷、キオクシアが共同で、既存の半導体製造レベルのNILによるパターン形成に成功した「NIL(ナノインプリントリソグラフィ)による超微細半導体の省エネルギー加工技術」を環境賞で優良賞に受賞しました。NIL技術は、光で回路を刻み込んだマスクにスタンプを押し付けて回路を形成する新たな技術で、消費電力の大幅削減が可能です。
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