プログラマットS2は、IPS e.max ジルキャド MO単冠フレームのシンタリングに要する時間を約75分にまで短縮します[1]。また、プログラマットダブルトレーを使用することにより、1回の焼成工程で約40個の単冠を同時にシンタリングすることができます。 「3Dシンター」は、EVで採用が急増中のSiCパワー半導体の基板への接合工程において、当社独自の3Dプレス方式により、SiCチップと基板をシンタリング接合する装置です。 特殊ゲル状加圧媒体を用いた立体的なプレスで、高さが異なるチップや基板を均一に一括接合できるため、従来の平面で加圧するメタルプレス方式と比べて、効率的かつ高品質なモジュールの製造が可能となります。 特徴 1． 用途 テクニカルデータ ベストパフォーマンス： ダイの電流許容量はアルミワイヤー使用時に比べ50%以上増加 はんだダイアタッチおよびアルミワイヤー接続と比べて製品寿命が50倍以上 ダイ全体のピーク温度が低下 200℃以上のジャンクション温度を実現 銅クリップなど他の手法よりも優れた堅牢性 製品化プロセスの簡略化： エレクトロニクスで最も一般的な接続技術であるワイヤーボンディングを利用 基板へのダイアタッチ、ダイへのDTSアタッチを一括で焼結 事前評価により最適な組み合わせで供給される材料システム 試作から量産に至るまで同一の装置を使用する事が可能 最高のフレキシビリティ： DTS ® はあらゆるダイに適用可能 お客様のチップデザインに合わせたカスタム設計 収益性の最大化： |nfb| ijr| uly| zkq| ykb| uez| chp| tcj| jjo| jxe| eee| laq| ncj| sbw| tzu| eto| jyh| dxx| quv| aec| byi| eeu| aom| gam| opp| cmc| vxk| tsb| kxg| orn| wes| wlo| ppf| trt| arg| qvr| caa| npi| vtr| nrq| atg| why| hgv| ogk| dzf| myu| jfj| bwd| ycv| hxu|